最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在不同应用中驱动快速开关超级结MOSFET，必须对器件寄生效应影响和PCB布局寄生效应影响都了解。设计适合快速开关超级结MOSFET的栅极驱动电路时有许多因素需考虑。关于最大限度减少不必要的噪声有几项主要准则。
在某些情况下，比如输入电压瞬变或短路，MOSFET所承受的高di/dt和dv/dt可能会导致开关特性异常或器件损坏。图1显示的是关断瞬态期间PFC电路中超级结MOSFET的振荡波形。器件和电路板中的寄生元件毫无疑问是引起不必要振荡和噪声的主要原因。在这种情况下，增大栅极电阻能够抑制峰值漏源极电压并防止由超级结MOSFET的引脚电感和寄生电容引起的栅极振荡。而且还能在导通和关断期间减缓电压上升速率(dv/dt)和电流上升速率(di/dt)。不利的是，额外的外部栅极电阻也会影响MOSFET中的开关损耗。随着工作开关频率增大，控制开关损耗就很重要了，因为器件必须达到目标应用所要求的最高效率。